エア・ウォーターが世界初の実用化レベル「SiC on Si基板」でGaNパワートランジスタ開発

20/04/21

 従来、GaN基板の製造方法としてSiCやGaNのバルク材をスライスする方法や、安価なSi基板表面に直接GaNを成膜する方法があるが、前者はコスト高となり、また後者はSiとGaNは結晶親和性が低く、歪やクラック(結晶中の微小なひび割れ)の発生といった品質面での課題が存在していた。SiConSi基板の場合、GaNと結晶親和性が高いSiCが緩衝材となり、前述の歪やクラックといった課題をクリアし欠陥の少ないGaN層を形成するとともに、厚膜化にも対応でき、GaNパワートランジスタの低コスト化と高品質化に寄与する。

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