19/11/26

　開発された製造装置は、科学技術振興機構（ＪＳＴ）の産学共同実用化開発事業（ＮｅｘＴＥＰ）の開発課題「ＴＨＶＰＥ法による高品質バルクＧａＮ成長用装置」において、東京農工大学の纐纈明伯特別招聘教授らの研究成果をもとに、平成２５年８月から平成３１年３月にかけて大陽日酸に委託され、同社開発本部イノベーション事業本部が実用化を進めていたもの。高品質・高速な結晶製造を実現するだけでなく、反応炉の石英管の劣化が生じにくいことや、成長面積の減少が少ないこと、不要なポリ結晶成長が生じないなど、従来の方法に比較してコスト面に優れる特長も確認されている。
　ＧａＮ結晶は、省エネルギーおよび低炭素社会構築のキーマテリアルとして注目されているが、そのアプリケーションである高周波デバイス、パワーデバイスへの展開はあまり進んでいない。その理由の１つが、ＧａＮ結晶基板の製造が難しく、高純度な厚いバルク結晶を得る結晶成長法がなかったことで、今回の新技術により、ＧａＮ結晶を厚いバルクで得られれば、スライスしてＧａＮ基板を大量生産でき、安価で高性能なＧａＮデバイスの開発への突破口になることが期待されている。

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